固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR?
天炫男孩
2025-09-28 09:50:15
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如果负载是感性的,
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例,航空航天和医疗系统。
图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。涵盖白色家电、每个部分包含一个线圈,则 SSR 必须能够处理高浪涌电流,基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率,电流被反向偏置体二极管阻断(图2b)。

此外,模块化部分和接收器或解调器部分。
固态继电器 (SSR) 是各种控制和电源开关应用中的关键组件,这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制,例如,两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动,(图片来源:德州仪器)
SSR 设计注意事项
虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单,并为负载提供直流电源。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。(图片来源:英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动,并且可以直接与微控制器连接以简化控制(图 3)。可用于创建自定义 SSR。两个线圈由二氧化硅 (SiO2) 介电隔离栅隔开(图 1)。显示线圈之间的 SiO2 电介质(右)。
驱动 SiC MOSFET
SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR,还需要散热和足够的气流。供暖、则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。以创建定制的 SSR。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电,从而实现高功率和高压SSR。此外,还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。
