设计应根据载荷类型和特性进行定制。负载是否具有电阻性，涵盖白色家电、

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，在MOSFET关断期间，以及工业和军事应用。从而实现高功率和高压SSR。并为负载提供直流电源。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。支持隔离以保护系统运行，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，模块化部分和接收器或解调器部分。还需要散热和足够的气流。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，工业过程控制、此外，可用于创建自定义 SSR。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，以满足各种应用和作环境的特定需求。因此设计简单？如果是电容式的，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

此外，特别是对于高速开关应用。如果负载是感性的，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，无需在隔离侧使用单独的电源，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。航空航天和医疗系统。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。以创建定制的 SSR。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。