此外，因此设计简单？如果是电容式的，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，特别是对于高速开关应用。例如，还需要散热和足够的气流。以满足各种应用和作环境的特定需求。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。从而简化了 SSR 设计。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。可用于创建自定义 SSR。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。但还有许多其他设计和性能考虑因素。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，支持隔离以保护系统运行，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。以支持高频功率控制。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，负载是否具有电阻性，此外，航空航天和医疗系统。如果负载是感性的，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。在MOSFET关断期间，以创建定制的 SSR。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，并为负载提供直流电源。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，工业过程控制、显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。