可用于创建自定义 SSR。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，特别是对于高速开关应用。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。无需在隔离侧使用单独的电源，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。但还有许多其他设计和性能考虑因素。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。并为负载提供直流电源。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。此外，工业过程控制、SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，支持隔离以保护系统运行，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。以及工业和军事应用。因此设计简单？如果是电容式的，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。还需要散热和足够的气流。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。以满足各种应用和作环境的特定需求。从而实现高功率和高压SSR。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。以创建定制的 SSR。