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固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR?

供暖、

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。以支持高频功率控制。(图片:东芝)<p>SSI 与一个或多个电源开关结合使用,此外,还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。显示线圈之间的 SiO2 电介质(右)。</p><img src=图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。支持隔离以保护系统运行,(图片来源:德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。还需要散热和足够的气流。通风和空调 (HVAC) 设备、(图片:东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例,

固态继电器 (SSR) 是各种控制和电源开关应用中的关键组件,基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成,

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR,航空航天和医疗系统。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电,是交流还是直流?通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。工业过程控制、并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流(图 2a)。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。以满足各种应用和作环境的特定需求。以创建定制的 SSR。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率,