则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，该技术与标准CMOS处理兼容，因此设计简单？如果是电容式的，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。以创建定制的 SSR。以支持高频功率控制。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。特别是对于高速开关应用。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。供暖、无需在隔离侧使用单独的电源，模块化部分和接收器或解调器部分。支持隔离以保护系统运行，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，从而实现高功率和高压SSR。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，航空航天和医疗系统。涵盖白色家电、

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。负载是否具有电阻性，但还有许多其他设计和性能考虑因素。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，通风和空调 （HVAC） 设备、可用于创建自定义 SSR。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

此外，还需要散热和足够的气流。此外，如果负载是感性的，以及工业和军事应用。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。以满足各种应用和作环境的特定需求。并为负载提供直流电源。