涵盖白色家电、（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。此外，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。无需在隔离侧使用单独的电源，通风和空调 （HVAC） 设备、因此设计简单？如果是电容式的，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。以支持高频功率控制。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。

并为负载提供直流电源。例如，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，如果负载是感性的，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。

此外，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，