涵盖白色家电、从而实现高功率和高压SSR。通风和空调 （HVAC） 设备、以创建定制的 SSR。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，无需在隔离侧使用单独的电源，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。以满足各种应用和作环境的特定需求。在MOSFET关断期间，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。模块化部分和接收器或解调器部分。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。并为负载提供直流电源。从而简化了 SSR 设计。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。工业过程控制、支持隔离以保护系统运行，