固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
韩智俊
2025-09-28 02:15:51
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并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。可用于创建自定义 SSR。如果负载是感性的，还需要散热和足够的气流。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，供暖、（图片来源：英飞凌)
图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。特别是对于高速开关应用。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，支持隔离以保护系统运行，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，
SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，航空航天和医疗系统。从而实现高功率和高压SSR。因此设计简单？如果是电容式的，
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。可用于创建自定义 SSR。如果负载是感性的，还需要散热和足够的气流。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，供暖、（图片来源：英飞凌)总结
基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，通风和空调 （HVAC） 设备、基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。工业过程控制、无需在隔离侧使用单独的电源，涵盖白色家电、显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。但还有许多其他设计和性能考虑因素。
设计应根据载荷类型和特性进行定制。
图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。特别是对于高速开关应用。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，支持隔离以保护系统运行，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，