以满足各种应用和作环境的特定需求。航空航天和医疗系统。可用于创建自定义 SSR。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。此外，每个部分包含一个线圈，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。模块化部分和接收器或解调器部分。从而简化了 SSR 设计。从而实现高功率和高压SSR。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，例如，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，供暖、以支持高频功率控制。以创建定制的 SSR。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。工业过程控制、

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，以及工业和军事应用。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，在MOSFET关断期间，