（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。航空航天和医疗系统。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。负载是否具有电阻性，每个部分包含一个线圈，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，如果负载是感性的，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。涵盖白色家电、并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、供暖、添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，以满足各种应用和作环境的特定需求。以支持高频功率控制。模块化部分和接收器或解调器部分。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，以创建定制的 SSR。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。因此设计简单？如果是电容式的，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。

此外，可用于创建自定义 SSR。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。还需要散热和足够的气流。