以支持高频功率控制。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。通风和空调 （HVAC） 设备、则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。供暖、支持隔离以保护系统运行，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。并为负载提供直流电源。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，但还有许多其他设计和性能考虑因素。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，可用于创建自定义 SSR。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，无需在隔离侧使用单独的电源，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。例如，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，此外，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。在MOSFET关断期间，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，