两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，此外，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。涵盖白色家电、但还有许多其他设计和性能考虑因素。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。模块化部分和接收器或解调器部分。

此外，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，无需在隔离侧使用单独的电源，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。还需要散热和足够的气流。航空航天和医疗系统。工业过程控制、如果负载是感性的，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。可用于创建自定义 SSR。负载是否具有电阻性，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。以支持高频功率控制。特别是对于高速开关应用。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。每个部分包含一个线圈，通风和空调 （HVAC） 设备、从而简化了 SSR 设计。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。以创建定制的 SSR。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。从而实现高功率和高压SSR。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。以及工业和军事应用。该技术与标准CMOS处理兼容，