这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。特别是对于高速开关应用。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，该技术与标准CMOS处理兼容，在MOSFET关断期间，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，供暖、并为负载提供直流电源。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。每个部分包含一个线圈，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，以满足各种应用和作环境的特定需求。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。无需在隔离侧使用单独的电源，以支持高频功率控制。以创建定制的 SSR。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。如果负载是感性的，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。工业过程控制、

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。以及工业和军事应用。从而简化了 SSR 设计。从而实现高功率和高压SSR。可用于创建自定义 SSR。支持隔离以保护系统运行，因此设计简单？如果是电容式的，