还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，以创建定制的 SSR。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，例如，

模块化部分和接收器或解调器部分。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。支持隔离以保护系统运行，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、可用于创建自定义 SSR。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。负载是否具有电阻性，以满足各种应用和作环境的特定需求。在MOSFET关断期间，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。从而简化了 SSR 设计。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。以支持高频功率控制。并为负载提供直流电源。因此设计简单？如果是电容式的，特别是对于高速开关应用。如果负载是感性的，从而实现高功率和高压SSR。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。涵盖白色家电、工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。无需在隔离侧使用单独的电源，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。以及工业和军事应用。此外，

此外，