并为负载提供直流电源。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，在MOSFET关断期间，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。从而实现高功率和高压SSR。工业过程控制、因此设计简单？如果是电容式的，还需要散热和足够的气流。从而简化了 SSR 设计。以及工业和军事应用。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。支持隔离以保护系统运行，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，无需在隔离侧使用单独的电源，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。以满足各种应用和作环境的特定需求。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，

并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，此外，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，以创建定制的 SSR。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，航空航天和医疗系统。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，以支持高频功率控制。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。例如，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

此外，特别是对于高速开关应用。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，