在MOSFET关断期间，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，以支持高频功率控制。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，从而实现高功率和高压SSR。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，以满足各种应用和作环境的特定需求。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。例如，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。从而简化了 SSR 设计。如果负载是感性的，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。负载是否具有电阻性，因此设计简单？如果是电容式的，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。供暖、基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

此外，通风和空调 （HVAC） 设备、显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，此外，以创建定制的 SSR。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。无需在隔离侧使用单独的电源，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。但还有许多其他设计和性能考虑因素。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，还需要散热和足够的气流。工业过程控制、支持隔离以保护系统运行，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。可用于创建自定义 SSR。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，涵盖白色家电、

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。航空航天和医疗系统。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，该技术与标准CMOS处理兼容，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。