可用于创建自定义 SSR。供暖、

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，以创建定制的 SSR。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。以及工业和军事应用。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，航空航天和医疗系统。但还有许多其他设计和性能考虑因素。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，例如，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。从而简化了 SSR 设计。支持隔离以保护系统运行，特别是对于高速开关应用。还需要散热和足够的气流。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。工业过程控制、

此外，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。