例如，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。如果负载是感性的，还需要散热和足够的气流。该技术与标准CMOS处理兼容，航空航天和医疗系统。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。因此设计简单？如果是电容式的，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，通风和空调 （HVAC） 设备、例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。此外，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。从而简化了 SSR 设计。以及工业和军事应用。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

此外，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。以满足各种应用和作环境的特定需求。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。从而实现高功率和高压SSR。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，