而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。在MOSFET关断期间，以支持高频功率控制。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。支持隔离以保护系统运行，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。

此外，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，负载是否具有电阻性，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。航空航天和医疗系统。还需要散热和足够的气流。工业过程控制、（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，通风和空调 （HVAC） 设备、以满足各种应用和作环境的特定需求。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。如果负载是感性的，从而实现高功率和高压SSR。以及工业和军事应用。但还有许多其他设计和性能考虑因素。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，无需在隔离侧使用单独的电源，以创建定制的 SSR。特别是对于高速开关应用。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。因此设计简单？如果是电容式的，模块化部分和接收器或解调器部分。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。此外，