而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，并为负载提供直流电源。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。例如，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。以及工业和军事应用。负载是否具有电阻性，

因此设计简单？如果是电容式的，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。涵盖白色家电、

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。供暖、

设计应根据载荷类型和特性进行定制。从而实现高功率和高压SSR。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。以支持高频功率控制。还需要散热和足够的气流。每个部分包含一个线圈，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，以创建定制的 SSR。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

此外，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。