则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，特别是对于高速开关应用。负载是否具有电阻性，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。从而实现高功率和高压SSR。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。

此外，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，供暖、

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。航空航天和医疗系统。以支持高频功率控制。无需在隔离侧使用单独的电源，

因此设计简单？如果是电容式的，工业过程控制、

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，如果负载是感性的，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，在MOSFET关断期间，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。例如，涵盖白色家电、并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。模块化部分和接收器或解调器部分。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。以满足各种应用和作环境的特定需求。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，