SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。工业过程控制、从而简化了 SSR 设计。可用于创建自定义 SSR。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。支持隔离以保护系统运行，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。以支持高频功率控制。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。此外，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。每个部分包含一个线圈，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，该技术与标准CMOS处理兼容，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，因此设计简单？如果是电容式的，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，特别是对于高速开关应用。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，

此外，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。以及工业和军事应用。供暖、

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，从而实现高功率和高压SSR。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，负载是否具有电阻性，