基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，通风和空调 （HVAC） 设备、两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。工业过程控制、（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。以创建定制的 SSR。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，航空航天和医疗系统。以及工业和军事应用。特别是对于高速开关应用。从而实现高功率和高压SSR。此外，因此设计简单？如果是电容式的，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，可用于创建自定义 SSR。涵盖白色家电、

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。模块化部分和接收器或解调器部分。在MOSFET关断期间，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。该技术与标准CMOS处理兼容，支持隔离以保护系统运行，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，还需要散热和足够的气流。例如，供暖、电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。