固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR?
余翠芝
2025-09-28 09:46:55
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设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。两个线圈由二氧化硅 (SiO2) 介电隔离栅隔开(图 1)。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成,这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制,通风和空调 (HVAC) 设备、
是交流还是直流?通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。并为负载提供直流电源。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电,此外,例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。因此设计简单?如果是电容式的,在MOSFET关断期间,
图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外,可用于创建自定义 SSR。(图片来源:德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。
驱动 SiC MOSFET
SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR,(图片:东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例,以及工业和军事应用。