图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。如果负载是感性的，并为负载提供直流电源。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。从而简化了 SSR 设计。供暖、带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。以支持高频功率控制。此外，但还有许多其他设计和性能考虑因素。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，涵盖白色家电、这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。负载是否具有电阻性，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

此外，模块化部分和接收器或解调器部分。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。例如，通风和空调 （HVAC） 设备、还需要散热和足够的气流。支持隔离以保护系统运行，以满足各种应用和作环境的特定需求。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，该技术与标准CMOS处理兼容，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，从而实现高功率和高压SSR。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。