负载是否具有电阻性，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

因此设计简单？如果是电容式的，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。例如，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。无需在隔离侧使用单独的电源，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。可用于创建自定义 SSR。支持隔离以保护系统运行，以及工业和军事应用。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。每个部分包含一个线圈，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。模块化部分和接收器或解调器部分。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，