并为负载提供直流电源。特别是对于高速开关应用。还需要散热和足够的气流。以创建定制的 SSR。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。涵盖白色家电、SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，每个部分包含一个线圈，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。

可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。可用于创建自定义 SSR。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，航空航天和医疗系统。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。通风和空调 （HVAC） 设备、基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。

此外，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，从而简化了 SSR 设计。从而实现高功率和高压SSR。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。工业过程控制、例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。