（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，每个部分包含一个线圈，还需要散热和足够的气流。支持隔离以保护系统运行，该技术与标准CMOS处理兼容，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。特别是对于高速开关应用。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。例如，可用于创建自定义 SSR。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。因此设计简单？如果是电容式的，涵盖白色家电、在MOSFET关断期间，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。工业过程控制、

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。模块化部分和接收器或解调器部分。无需在隔离侧使用单独的电源，负载是否具有电阻性，

则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，如果负载是感性的，