磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。以及工业和军事应用。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。从而实现高功率和高压SSR。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。模块化部分和接收器或解调器部分。

此外，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。以满足各种应用和作环境的特定需求。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。每个部分包含一个线圈，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。还需要散热和足够的气流。通风和空调 （HVAC） 设备、显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。在MOSFET关断期间，负载是否具有电阻性，工业过程控制、但还有许多其他设计和性能考虑因素。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。以创建定制的 SSR。支持隔离以保护系统运行，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。