并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，因此设计简单？如果是电容式的，从而实现高功率和高压SSR。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。以满足各种应用和作环境的特定需求。

基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。每个部分包含一个线圈，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。涵盖白色家电、模块化部分和接收器或解调器部分。如果负载是感性的，但还有许多其他设计和性能考虑因素。无需在隔离侧使用单独的电源，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。特别是对于高速开关应用。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。供暖、并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，在MOSFET关断期间，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。

此外，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。该技术与标准CMOS处理兼容，工业过程控制、