工业过程控制、

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，可用于创建自定义 SSR。以支持高频功率控制。该技术与标准CMOS处理兼容，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，模块化部分和接收器或解调器部分。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，特别是对于高速开关应用。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，以创建定制的 SSR。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。每个部分包含一个线圈，因此设计简单？如果是电容式的，并为负载提供直流电源。在MOSFET关断期间，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，以满足各种应用和作环境的特定需求。供暖、基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，通风和空调 （HVAC） 设备、则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。从而实现高功率和高压SSR。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。