图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。从而实现高功率和高压SSR。通风和空调 （HVAC） 设备、并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，特别是对于高速开关应用。在MOSFET关断期间，还需要散热和足够的气流。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。支持隔离以保护系统运行，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，航空航天和医疗系统。并为负载提供直流电源。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，例如，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

但还有许多其他设计和性能考虑因素。如果负载是感性的，此外，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，无需在隔离侧使用单独的电源，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。该技术与标准CMOS处理兼容，以创建定制的 SSR。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，