图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。涵盖白色家电、如果负载是感性的，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。以创建定制的 SSR。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。该技术与标准CMOS处理兼容，

此外，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。工业过程控制、

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，无需在隔离侧使用单独的电源，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。从而实现高功率和高压SSR。支持隔离以保护系统运行，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，