（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，以创建定制的 SSR。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。无需在隔离侧使用单独的电源，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，例如，以支持高频功率控制。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，负载是否具有电阻性，

此外，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。还需要散热和足够的气流。支持隔离以保护系统运行，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。特别是对于高速开关应用。以及工业和军事应用。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。从而实现高功率和高压SSR。并为负载提供直流电源。模块化部分和接收器或解调器部分。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。从而简化了 SSR 设计。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。