SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，从而简化了 SSR 设计。以创建定制的 SSR。涵盖白色家电、

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。供暖、

此外，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。特别是对于高速开关应用。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。该技术与标准CMOS处理兼容，模块化部分和接收器或解调器部分。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。但还有许多其他设计和性能考虑因素。还需要散热和足够的气流。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。以满足各种应用和作环境的特定需求。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，例如，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、