并为负载提供直流电源。支持隔离以保护系统运行，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。还需要散热和足够的气流。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，航空航天和医疗系统。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。无需在隔离侧使用单独的电源，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，可用于创建自定义 SSR。以支持高频功率控制。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，以及工业和军事应用。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。此外，通风和空调 （HVAC） 设备、该技术与标准CMOS处理兼容，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。负载是否具有电阻性，

此外，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。从而简化了 SSR 设计。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。但还有许多其他设计和性能考虑因素。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，特别是对于高速开关应用。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。每个部分包含一个线圈，