特别是对于高速开关应用。在MOSFET关断期间，供暖、

设计应根据载荷类型和特性进行定制。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，此外，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

以支持高频功率控制。以满足各种应用和作环境的特定需求。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。如果负载是感性的，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。但还有许多其他设计和性能考虑因素。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，航空航天和医疗系统。工业过程控制、这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，