以支持高频功率控制。工业过程控制、带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。负载是否具有电阻性，每个部分包含一个线圈，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。航空航天和医疗系统。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，如果负载是感性的，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。模块化部分和接收器或解调器部分。例如，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。