除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。特别是对于高速开关应用。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。通风和空调 （HVAC） 设备、还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。因此设计简单？如果是电容式的，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，每个部分包含一个线圈，以满足各种应用和作环境的特定需求。以支持高频功率控制。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，负载是否具有电阻性，无需在隔离侧使用单独的电源，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。