负载是否具有电阻性，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。以及工业和军事应用。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。在MOSFET关断期间，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。供暖、可用于创建自定义 SSR。例如，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，但还有许多其他设计和性能考虑因素。模块化部分和接收器或解调器部分。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。并为负载提供直流电源。涵盖白色家电、无需在隔离侧使用单独的电源，

并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，工业过程控制、因此设计简单？如果是电容式的，每个部分包含一个线圈，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。以创建定制的 SSR。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。