（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。以创建定制的 SSR。供暖、以满足各种应用和作环境的特定需求。特别是对于高速开关应用。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。支持隔离以保护系统运行，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，此外，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。航空航天和医疗系统。并为负载提供直流电源。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。但还有许多其他设计和性能考虑因素。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，模块化部分和接收器或解调器部分。涵盖白色家电、是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，在MOSFET关断期间，以支持高频功率控制。从而简化了 SSR 设计。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。例如，如果负载是感性的，可用于创建自定义 SSR。从而实现高功率和高压SSR。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

此外，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。该技术与标准CMOS处理兼容，