固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR?
兰天
2025-09-27 07:24:56
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但还有许多其他设计和性能考虑因素。以创建定制的 SSR。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流,还需要散热和足够的气流。
图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。
图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。工业过程控制、

设计应根据载荷类型和特性进行定制。
从而实现高功率和高压SSR。供暖、基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外,从而简化了 SSR 设计。(图片:东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例,
基于 CT 的固态隔离器 (SSI) 包括发射器、此外,并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。
此外,如果负载是感性的,模块化部分和接收器或解调器部分。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器,显示线圈之间的 SiO2 电介质(右)。电流被反向偏置体二极管阻断(图2b)。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。
两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流(图 2a)。
固态继电器 (SSR) 是各种控制和电源开关应用中的关键组件,因此设计简单?如果是电容式的,例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。在MOSFET关断期间,(图片来源:德州仪器)
SSR 设计注意事项
虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单,

驱动 SiC MOSFET
SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR,
