支持隔离以保护系统运行，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。

（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，但还有许多其他设计和性能考虑因素。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。此外，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。供暖、模块化部分和接收器或解调器部分。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，每个部分包含一个线圈，特别是对于高速开关应用。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。可用于创建自定义 SSR。

此外，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，从而简化了 SSR 设计。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。以支持高频功率控制。以满足各种应用和作环境的特定需求。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。