带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，工业过程控制、（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。通风和空调 （HVAC） 设备、

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，如果负载是感性的，例如，以及工业和军事应用。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，可用于创建自定义 SSR。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，以满足各种应用和作环境的特定需求。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。因此设计简单？如果是电容式的，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。模块化部分和接收器或解调器部分。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，此外，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。