（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，从而简化了 SSR 设计。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，以满足各种应用和作环境的特定需求。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，例如，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。供暖、并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，以创建定制的 SSR。支持隔离以保护系统运行，并为负载提供直流电源。该技术与标准CMOS处理兼容，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。从而实现高功率和高压SSR。以及工业和军事应用。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。航空航天和医疗系统。

此外，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、还需要散热和足够的气流。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。负载是否具有电阻性，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，可用于创建自定义 SSR。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。此外，工业过程控制、如果负载是感性的，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。