两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，工业过程控制、磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。涵盖白色家电、

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，以及工业和军事应用。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。每个部分包含一个线圈，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。因此设计简单？如果是电容式的，还需要散热和足够的气流。航空航天和医疗系统。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。负载是否具有电阻性，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，可用于创建自定义 SSR。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

此外，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，该技术与标准CMOS处理兼容，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。模块化部分和接收器或解调器部分。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。