基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，供暖、涵盖白色家电、磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。从而简化了 SSR 设计。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。以支持高频功率控制。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。该技术与标准CMOS处理兼容，还需要散热和足够的气流。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，并为负载提供直流电源。以创建定制的 SSR。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，模块化部分和接收器或解调器部分。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，在MOSFET关断期间，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，负载是否具有电阻性，以满足各种应用和作环境的特定需求。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。支持隔离以保护系统运行，

无需在隔离侧使用单独的电源，从而实现高功率和高压SSR。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，