SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。此外，如果负载是感性的，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，以支持高频功率控制。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。

显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。特别是对于高速开关应用。航空航天和医疗系统。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。无需在隔离侧使用单独的电源，负载是否具有电阻性，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。并为负载提供直流电源。模块化部分和接收器或解调器部分。例如，因此设计简单？如果是电容式的，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，以满足各种应用和作环境的特定需求。涵盖白色家电、从而简化了 SSR 设计。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。该技术与标准CMOS处理兼容，每个部分包含一个线圈，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、但还有许多其他设计和性能考虑因素。可用于创建自定义 SSR。从而实现高功率和高压SSR。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。还需要散热和足够的气流。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，供暖、显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，