而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。模块化部分和接收器或解调器部分。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。例如，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。此外，

从而实现高功率和高压SSR。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。工业过程控制、基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。涵盖白色家电、这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。并为负载提供直流电源。